Расширенный поиск

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
74,0 руб.
Есть в наличии 6 штук/и
  • Версия для печати
  • Задать вопрос о товаре
  • Код товара: 2555
  • Вес товара,(кг):0.005
Описание товара

Биполярный транзистор с изолированным затвором FGA25N120ANTD для систем индукционного нагрева. Особенностью транзистора является устойчивость к лавинному нарастанию мощности.

Транзистор выдерживает 450 мДж лавинной мощности, что позволяет обеспечить безопасную работу в любых условиях (скачки напряжения в сетях переменного тока, выход из строя какого-либо узла и пр.).

Транзистор рассчитан на работу при напряжениях до 1200 В и выпускается в корпусе ТО-3 по бессвинцовой технологии.

Технические параметры

Структура IGBT+диод
Максимальное напряжение кэ, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25°С, A: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Управляющее напряжение, В: 5.5
Мощность макс., Вт: 312
Температурный диапазон, °С -55…+150
Дополнительные опции: встроенный быстродействующий диод
Корпус to-3p

Изображения
  • FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
С данным товаром также покупают:
TNY266PN DIP-8 Регулятор с 700 вольтовым MOSFET транзистором для AC-DC
17,0 руб.
TNY278PN DIP-8 Регулятор с 700 вольтовым MOSFET транзистором для AC-DC
19,0 руб.
Симистор BT131-800 800V 1A
5,5 руб.
TNY264PN DIP-8 Регулятор с 700 вольтовым MOSFET транзистором для AC-DC
17,0 руб.
Конденсатор электролитический 2200 мкФ 10 В 10*16мм LOW ESR SANYO
10,0 руб.
Симистор BT131-600 600V 1A
4,0 руб.
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
Написать отзыв