Расширенный поиск

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p

FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
80,0 руб.
Есть в наличии 13 штук/и
  • Версия для печати
  • Задать вопрос о товаре
  • Код товара: 2555
  • Вес товара,(кг):0.005
Описание товара

Биполярный транзистор с изолированным затвором FGA25N120ANTD для систем индукционного нагрева. Особенностью транзистора является устойчивость к лавинному нарастанию мощности.

Транзистор выдерживает 450 мДж лавинной мощности, что позволяет обеспечить безопасную работу в любых условиях (скачки напряжения в сетях переменного тока, выход из строя какого-либо узла и пр.).

Транзистор рассчитан на работу при напряжениях до 1200 В и выпускается в корпусе ТО-3 по бессвинцовой технологии.

Технические параметры

Структура IGBT+диод
Максимальное напряжение кэ, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25°С, A: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Управляющее напряжение, В: 5.5
Мощность макс., Вт: 312
Температурный диапазон, °С -55…+150
Дополнительные опции: встроенный быстродействующий диод
Корпус to-3p

Изображения
  • FGA25N120ANTD, Транзистор IGBT 1200В, 25А, 312Вт, встроенный диод, корпус to-3p
С данным товаром также покупают:
Кнопка тактовая 6 * 6 * 6 мм
4,0 руб.
Кнопка тактовая 12*12*6 мм
5,0 руб.
Светодиод SMD 5630 ультра яркий белый холодный цвет 45-50LM 0.5Вт 15000K 3.3-3.6В 150мА
2,5 руб.
74HC165D 8р.регистр сдвига с параллельным входом so-16
10,0 руб.
74HC595N, 8-и битный сдвиговый регистр с выходным регистром-защелки и тремя состояниями (DIP-16)
9,0 руб.
IRF640N МОП-транзистор 200В 18А N-канальный TO220
21,0 руб.
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
Написать отзыв