Расширенный поиск

SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET

SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET
3,0 руб.
Есть в наличии 639 штук/и
  • Версия для печати
  • Задать вопрос о товаре
  • Код товара: 2977
  • Корпус: SOT23
  • Вес, грамм: 0,1
  • Производитель: Китай
Описание товара

Наименование прибора: SI2302 маркировка A2SHB 
Тип транзистора: MOSFET 
Полярность: N 
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 
Максимальная температура канала (Tj): 150 
Время нарастания (tr): 36 
Выходная емкость (Cd), pf: 115 
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.085 
Тип корпуса: SOT23

Близкие аналоги: AO3400, AO3402, AO3406A, STS4300, UT3400, UT3404, UT6402.


 

Изображения
  • SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET
  • SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET
  • SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET
С данным товаром также покупают:
Модуль лазерного диода 5мвт 650нм, 3-5 вольт, красная линия
196,0 руб.
Конденсатор электролитический 680 мкФ 16 В 8*14мм ECAP
11,0 руб.
Конденсатор электролитический 1000 мкФ 25 В 10*17мм
10,0 руб.
Резистор 9.1 Ом ±1%, smd0805 (упаковка 5шт.)
1,6 руб.
Отзывы:
Ваш отзыв может быть первым.
Написать отзыв